При испытании мостов для наклейки датчиков применяют клеи 192-Т, БФ-2, БФ-4 и др. Датчики можно наклеивать на любые материалы. Поверхность в местах наклейки датчиков следует тщательно очистить от грязи, краски, ржавчины, пыли и др.
Испытание моста.
Очищенная поверхность должна иметь незначительную шероховатость, без крупных пор и углублений. Очищенные участки обезжиривают, протирая их чистой тряпкой или ватным тампоном, смоченным в ацетоне. На подготовленные участки наносят первый тонкий слой клея, а после его подсушки — второй. Одновременно смазывают клеем датчик со стороны бумажной подкладки и плотно приклеивают, прижимая к элементу с целью удаления лишнего клея и пузырьков воздуха из-под датчика. Для защиты датчика от влаги сверху его покрывают тем же клеем или эпоксидной смолой. При испытаниях в полевых условиях датчик, кроме того, закрывают от прямых солнечных лучей, приклеивая фетровые или резиновые накладки. Для ускорения твердения клея элемент подогревают до температуры не выше 150° С.
В качестве датчиков сопротивления используют и тензолитовые элементы в форме пластинок, тонких пленок, цилиндриков. Тензо-лит—это графитовая или угольная пластмасса, обладающая свойством значительно изменять омическое сопротивление при деформировании. Чувствительность тензолитовых элементов примерно на порядок выше, чем у проволочных датчиков. На рис. 50 приведены принципиальные схемы тензолитовых датчиков. Датчик, выполненный по схеме, показанной на рис. 50, а, состоит из жесткого корпуса /, внутри которого смонтированы два тензолитовых элемента 2. Между тензолитовыми элементами расположен рычаг 3, который одним концом шарнирно прикреплен к корпусу, а другим, заостренным, опирается на испытуемый элемент. Корпус на элемент также опирается заостренной ножкой. Расстояние S между точками опирания является базой датчика. В средней части рычаг 3 через распорки 4 шарнирно опирается на тензоли-товые элементы, к концам которых прикреплены выводы. При изменении базы на величину AS рычаг передает деформацию на тензолито-вые элементы и омическое сопротивление их изменяется пропорционально измеряемой деформации. Для одновременного деформирования оба тензолита предварительно обжимают.
•Датчик, схема которого приведена на рис. 50, б, представляет собой изогнутую упругую пластинку 5 с нанесенным на нее слоем тензолита 6. Взаимное продольное перемещение концов пластинки на AS вызывает деформирование слоя тензолита, а следовательно, изменение его омического сопротивления. Для подключения датчика к измерительному устройству к концам тензолитового слоя прикреплены выводы 7.
Высокая чувствительность тензолитовых датчиков позволяет применять простые измерительные устройства. Однако устойчивость показаний этих датчиков в значительной мере зависит от температуры, влажности и других факторов. Кроме того, такие датчики из-за наличия гистерезиса дают различные показания при прямом и обратном деформировании. Указанные особенности снижают точность измерений тензолитовых датчиков (по сравнению с проволочными и фольговыми) и ограничивают область их применения.
В последнее время в качестве датчиков сопротивления используют полупроводниковые материалы (германий, кремний и др.). Полупроводниковые датчики (резисторы) обладают высокой чувствительностью, которая примерно на два порядка выше, чем у проволочных. Важной особенностью полупроводниковых датчиков является возможность регулирования их свойств в широких пределах, а также то, что они не обладают гистерезисом. База измерения в этих датчиках может быть минимальной—до нескольких долей миллиметра. Применение полупроводниковых датчиков имеет хорошую перспективу.
